Статьи

В статье описывается проектирование широкополосного интегрального усилителя-ограничителя. Приводятся результаты моделирования разработанной топологии усилителя в технологическом процессе GaAs 150 нм с коэффициентом усиления свыше 80 дБ. Отличительной особенностью усилителя является реализация по многокаскадной структуре, которая за счет высокоэффективного однокаскадного усилителя позволяет наращивать коэффициент усиления и получать усилитель с усилением десятки децибел. Усилитель обладает большим перекрытием по частоте в диапазоне от 1 до 8 ГГц. В отличие от реализации подобных решений на выводных компонентах предложенное схемнотопологическое решение для микросхемы позволяет заметно сократить массогабаритные параметры.