Влияние поглощения на свободных носителях заряда на параметры кремниевых фотодиодов (2022)
Приведен расчет фоточувствительности кремниевых фотодиодов с учетом поглощения на свободных носителях в диффузионных слоях, позволяющий определить требования к их параметрам для снижения этого эффекта.
Показано, что величина пропускания длинноволнового излучения в кремниевых структурах может также уменьшаться за счет поглощения на свободных носителях в диффузионных слоях.
Издание:
Прикладная физика
Выпуск:
№ 5 (2022)