Характеристики малоформатных матричных фотоприемников (2025)

Исследованы малоформатные матричные фотоприемники спектрального диапазона 3÷5 мкм на основе матриц фотодиодов из антимонида индия с минимальной дефект-ностью и однородной чувствительностью. Показано, что отбор пластин из слитков InSb для изготовления МФЧЭ в соответствии с анализом статистических данных и применение группового утоньшения и отмывки позволили получить 22 % бездефект-ных от общего числа матричных фотоприемников (МФП) при бездефектной цен-тральной области. Установлено, что обработка ионами аргона смотрящей стороны фотодиодной матрицы существенно улучшает однородность распределения чувствительности по площади МФП.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: №1 (2025)
Автор(ы): Лопухин Алексей Алексеевич, Пермикина Елена Вячеславовна, Гришина Анна Николаевна
Сохранить в закладках
Структурный массив фотодиодов с изменяемой площадью для определения качества пассивации в МФПУ на основе InSb (2025)

Предложены тестовые матричные структуры с изменяемой площадью p–n-переходов и топологией, идентичной топологии рабочих фотодиодных матриц формата 640512 с шагом 15 мкм, сформированные методами фотолитографии групп объединенных элементов на периферии рабочих пластин. Проанализированы возможности тестовых матричных структур для определения качества пассивации в МФПУ на основе InSb посредством измерения зависимостей темнового тока от отношения периметра к площади фотодиодов. Показано, что предложенные тестовые структуры позволяют определить источники темнового тока и существенно ускорить разработку новых пассивирующих покрытий в широкоформатных матричных фотоприемниках с малым шагом.

Издание: Успехи прикладной физики
Выпуск: №1, том 13 (2025)
Автор(ы): Лопухин Алексей Алексеевич, Пермикина Елена Вячеславовна, Шишигин Сергей Евгеньевич, Мирофянченко Андрей
Сохранить в закладках
Распределение чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника, ограниченной дифракционным пределом сканирующей маски (2021)

Исследовано распределение чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника на основе антимонида индия с помощью неразрушающего метода сканирующей маски на основе открытой зондовой установки ускоренного тестирования.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: № 5 (2021)
Автор(ы): Лопухин Алексей Алексеевич, Болтарь Константин, Акимов Владимир Михайлович
Сохранить в закладках
Матрицы ФПУ с улучшенной однородностью (2023)

Рассмотрены два возможных способа получения ФПУ на основе фотодиодных матриц из антимонида индия с улучшенной однородностью: использование структур, выращенных методом МЛЭ, и применение ионной обработки при изготовлении ФЧЭ из объемного материала. Представлены результаты исследований чувствительности в фотодиодных матрицах из InSb при воздействии оптического излучения ИК, видимого и УФ-диапазонов. Установлено, что метод ионной обработки стороны засветки МФЧЭ перед просветлением позволяет существенным образом подавить рекомбинацию фотоносителей на поверхности, а также улучшить адгезию наносимого антиотражающего покрытия (АОП). В результате ионной обработки уменьшается разброс чувствительности (токовой или вольтовой) по площади МФЧЭ в несколько раз.

Издание: Успехи прикладной физики
Выпуск: том 11 № 5 (2023)
Автор(ы): Лопухин Алексей Алексеевич, Пермикина Елена Вячеславовна, Болтарь Константин
Сохранить в закладках