Рубрика: 621.383. Фотоэлектроника
КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ АЛМАЗНЫХ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ У Ф-ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ (2022)

Приводятся результаты исследований по разработке конструктивно-технологических решений многоэлементных фотоприемных алмазных устройств УФ-диапазона. Приведены результаты применения ионной имплантации бора и азота для формирования заглубленных фоточувствительных слоев. Показано, что полиэнергетическая имплантация больших доз бора позволяет получать слои с высокой проводимостью при комнатной температуре. Полученные экспериментальные зависимости по дозе и энергии ионов демонстрируют возможности создания сильно компенсированных, слаболегированных слоев p-типа и сильнолегированных слоев p+-ram. Показаны конструкция и топология фоточувствительных ячеек на основе ионно-имплантированных слоев матричных алмазных фотоприемников.

Издание: ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ (МЭС)
Выпуск: № 4 (2022)
Автор(ы): Алтухов Андрей Александрович
Сохранить в закладках
Анализ надежности фотомодуля инфракрасного диапазона с режимом временной задержки и накопления с цифровыми выходами (2025)

Рассмотрен принцип работы и надежность фотомодулей (ФМ) формата 102410 элементов на основе кадмий-ртуть-теллура (КРТ), чувствительных в инфракрасном (ИК) диапазоне, предназначенных для построения многорядного крупноформатного фотоприёмного устройства (ФПУ), разработанного для бортовой аппаратуры сканирующего типа, предназначенной для гидрометеорологических исследований и другого гражданского применения в части космического мониторинга Земли. Построена структурная схема надежности ФМ, проведен расчет надежности ФМ, подтверждающий достаточное время безотказной работы ФМ на протяжении более 10 лет на геостационарной орбите (ГСО)

Издание: Прикладная физика
Выпуск: № 3 (2025)
Автор(ы): Романов Евгений Константинович, Бурлаков Владислав Игоревич, Чеботаренко Даниил Дмитриевич, Юдовская Александра Дмитриевна
Сохранить в закладках
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЭНЕРГИИ И ДАТЧИКОВ (2024)

Представлен комплекс программ моделирования построения последовательности энергетических зон гетеропереходов для анализа распределения носителей зарядов в гетероструктуре и внутренних характеристик, описания процессов переноса и аккумулирования заряда. Использовались аналитическая система Wolfram Mathematica и язык программирования Delphi. Основными элементами материалов задаются полупроводники, металлы контактных структур и области инжекции неравновесных носителей. Программы позволяют определять конструктивные характеристики материалов, активных зон и областей пространственного заряда, вычислять квазиуровни Ферми и встроенные потенциалы, а также эффективность гетероструктур в целом и для разделения-сбора заряда, эмиссии высокоэнергетичных бета-электронов и генерации неравновесных носителей заряда в активной области пространственного заряда, накопления заряда, определения типов барьерных гетеропереходов и типа металлизации контактности барьерного или омического, в том числе для устройств в интегральном исполнении. Программа и результаты могут быть использованы для определения свойств полупроводниковых гетероструктур в разработках преобразователей энергии и датчиков в фото- и бетавольтаике.

Издание: ВЕСТНИК САМАРСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ЕСТЕСТВЕННОНАУЧНАЯ СЕРИЯ
Выпуск: Т. 30 № 1 (2024)
Автор(ы): Долгополов Михаил Вячеславович, Елисов Максим Вячеславович, Раджапов С. А., Рахманкулов И. Р., Чипура Александр Сергеевич
Сохранить в закладках
Достижения и перспективы развития фотоэлектроники на Х Форуме «Микроэлектроника 2024» (2024)

Дан обзор докладов, представленных на Форуме «Микроэлектроника 2024»на секции 12 «Технологии оптоэлектроники и фотоники», посвященных современному состоянию и перспективам развития.

Издание: Успехи прикладной физики
Выпуск: Том 12, № 6 (2024)
Автор(ы): Наумов Аркадий Валерьевич, Полесский Алексей Викторович, Башкатов Александр Сергеевич, Астапова Анна Александровна
Сохранить в закладках
Сравнение способов компенсации негативного влияния дефектных элементов на пороговые характеристики каналов фотомодуля инфракрасного диапазона с режимом временной задержки и накопления (2024)

Рассмотрена группа актуальных способов компенсации негативного влияния дефектных элементов на пороговые характеристики фотомодулей (ФМ) инфракрасного диапазона (ИК) с режимом временной задержки и накопления (ВЗН). Особенностью изучаемой группы является компенсация, основанная на деселекции (отключении) дефектных элементов. Проведены эксперименты по изучению влияния рассмотренных подходов на шум, отношение сигнал/шум (SNR) и удельную обнаружительную способность (D*) каналов ИК ФМ с режимом ВЗН. Анализ эмпирических данных показал, что современные инструменты компенсации негативного влияния обеспечивают улучшение шума и SNR каналов. Однако при этом способы ухудшают D* некоторой части каналов. Показано, что данный негативный эффект обусловлен критериями детектирования дефектных элементов, применяемыми в современных решениях. Известными правилами детектирования не оценивается, способно ли изменение SNR каналов после деселекции компенсировать потери их эффективной фоточувствительной площади (ЭФП). Предложен критерий, выполняющий данную оценку. Совокупное использование такого критерия с деселекцией позволяет улучшить шум и SNR каналов фотомодуля без ухудшения их D*.

Издание: Успехи прикладной физики
Выпуск: Том 12, № 6 (2024)
Автор(ы): Гапонов Олег Владимирович, Сокольский Михаил Андреевич, Романов Евгений Константинович
Сохранить в закладках
Фотосенсорика инфракрасного диапазона на основе гибридно-монолитных матриц на квантовых точках (2024)

Гибридно-монолитные матрицы ИК-диапазона на основе коллоидных квантовых то-чек (ККТ) активно развиваются в последние несколько лет. Динамика развития и достигнутые на сегодняшний день параметры по шагу, предельному формату и низкой стоимости позволяют говорить о том, что данное направление может обеспечить массовое распространение ИК-камер такого типа в различных сферах, где применение классических гибридных матричных фотоприемников ограничено или невозможно. Статья посвящена базовым вопросам построения таких матриц, анализу передовых достижений по данному направлению, в том числе в России, а также прогнозу возможных применений, которые открываются для ИК-фотосенсорики на основе ККТ.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: №6 (2024)
Автор(ы): Попов Виктор, Пономаренко Владимир, Дирочка Александр Иванович, Попов Сергей Викторович
Сохранить в закладках
Чувствительность фоторезисторов на основе коллоидных квантовых точек HgTe в коротковолновом и средневолновом диапазонах инфракрасного спектра при комнатной температуре (2024)

Исследование способов создания фотосенсоров на средневолновый ИК-диапазона на основе коллоидных квантовых точек (ККТ) для создания недорогих фотоприемных матриц является одной из наиболее актуальных задач в современной фотосенсорике. Проведен синтез ККТ HgTe, изготовлены фоторезисторы и исследованы фотосенсорные характеристики. Экспериментально показано, что изготовленные на основе синтезированных ККТ HgTe фоторезисторы имеют чувствительность в коротковолновом и средневолновом ИК-диапазоне при комнатной температуре.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: №6 (2024)
Автор(ы): Попов Виктор, Миленкович Теодора, Хакимов Карим Тимурович, Давлетшин Ренат Валиевич, Хамидуллин Камиль Алиевич, Шуклов Иван Алексеевич, Короннов Алексей Алексеевич, Пономаренко Владимир
Сохранить в закладках
Влияние режимов диффузии фосфора на формирование дефектов в окисле (2021)

С использованием оптической микроскопии, РЭМ, атомно-силового микроскопа и профилометра определены форма, размеры и примесный состав локальных дефектов, возникающих в слое двуокиси кремния при диффузии фосфора. Причиной образования дефектов в пассивирующем окисле при диффузии фосфора является локальное плавление SiO2 при взаимодействии с жидкими каплями фосфорно-силикатного стекла. Снижение температуры процесса осаждения (загонки) фосфора и концентрации POCL3 в газовом потоке приводит к уменьшению плотности дефектов окисла.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: № 5 (2021)
Автор(ы): Вильдяева Мария Николаевна, Макарова Элина Алексеевна, Климанов Евгений Алексеевич, Малыгин Владислав Анатольевич
Сохранить в закладках
О возможности принципиально новых, профильных фотоэлектрических эффектов в полупроводниках (2021)

Теоретически показано, что при определенных профилях неоднородности вдоль электрического поля плотности скорости фотогенерации носителей в полупроводниках могут проявиться три неожиданных эффекта. Это самоусиление и самогашение плотности скорости фотогенерации носителей и самоинверсия ее знака. Эффекты обусловлены локальным фотоиндуцированным объемным зарядом. Формы профилей зависят от параметров полупроводника, напряженности электрического поля и температуры. Приведены примеры для всех трех типов профилей.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: № 4 (2021)
Автор(ы): Холоднов Вячеслав Александрович
Сохранить в закладках
ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ МУЛЬТИСПЕКГРАЛЬНОГО ДАТЧИКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В ПРОИЗВОДСТВЕ ТЕХНИЧЕСКОГО УГЛЕРОДА (2023)

Работа посвящена исследованию возможности использования датчика APDS-9960 в качестве приемника излучения для высокотемпературного пирометра спектрального отношения. Приведены результаты расчетов коэффициентов эффективности использования датчиков APDS-9960 и TCS34725. Рассчитаны зависимости отношения сигналов различных каналов датчика APDS-9960 от температуры, погрешности квантования. Установлено, что при использовании дополнительного ИК фильтра, датчик APDS-9960 имеет больший коэффициент эффективности использования и погрешность квантования в 1.5 раза меньшую, чем TCS34725. Рассмотрены результаты натурных испытаний опытного пирометра спектрального отношения с датчиком APDS-9960.

Издание: ДИНАМИКА СИСТЕМ, МЕХАНИЗМОВ И МАШИН
Выпуск: Т. 11 № 4 (2023)
Автор(ы): ШКАЕВ АЛЕКСАНДР ГЕННАДЬЕВИЧ, ЛОБОВ ДМИТРИЙ ГЕННАДЬЕВИЧ, ВАЛЬКЕ АЛЕКСЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПОНОМАРЕВ ДМИТРИЙ БОРИСОВИЧ
Сохранить в закладках
Метод расчета концентрации носителей заряда в полупроводниковых соединениях группы нитридов с учетом модели зонных состояний (2021)

Из-за особенностей легирования полупроводниковых структур группы нитридов и высокой степени компенсации, существует проблема определения концентрации легирующей примеси традиционными методами. В работе предложен и исследован метод расчета концентрации носителей заряда с учетом модели зонных состояний в полупроводниковых структурах группы нитридов n-типа проводимости. Метод основан на уравнении электронейтральности носителей заряда с учетом статистического закона распределения носителей в зонах и на дополнительных уровнях в запрещенной зоне.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: № 2 (2021)
Автор(ы): Улькаров Вадим Айратович, Дирочка Александр Иванович, Яковлева Наталья
Сохранить в закладках
Исследование амплитудного распределения микроплазменных импульсов при двухрежимной работе лавинного фотодиода (2019)

Выполнено исследование амплитудного распределения микроплазменных импульсов при одновременной реализации на лавинном фотодиоде режима счета фотонов и токового режима работы. Режимы работы реализованы при постоянном напряжении питания лавинного фотодиода, превышающем напряжение пробоя его p–n-перехода. Оценено влияние на амплитуду микроплазменных импульсов величины напряжения питания лавинного фотодиода и интенсивности оптического излучения.

Издание: Успехи прикладной физики
Выпуск: Том 7, № 4 (2019)
Автор(ы): Горбадей Ольга Юрьевна, Зеневич Андрей Олегович, Новиков Евгений Владимирович, Гоибов Сухроб Абдурохимович
Сохранить в закладках