SCI Библиотека

Цель настоящей книги — дать читателям: учителям средней школы, студентам педвуза, любознательным учащимся старших классов средней школы — основные сведения по «Новой геометрии треугольника».
Введение. Знаки отрезков. Отношение трех точек. Понятие о несобственной точке. Прямые Чевы. Трансверсали. Окружность девяти точек. Расстояние между замечательными точками треугольника. Антипараллели. Изогональные и изотомические прямые. Симедианы, антибиссектрисы и прямые n. Точки Брокара. Угол Брокара. Треугольник проекций. Окружности Торичелли. Точка Торичелли

Комплексными методами физико-химического анализа был изучен характер взаимодействия и природа дефектности в системе сплавов SnSe-TbSe. Определена зависимость коэффициента Холла и термоЭДС от процентного содержания тербия. Исследована температурная зависимость термоэлектрических и термомагнитных свойств систем сплавов TbxSn1-xSe.

Сегодня эту технику размазывают на 200+ страниц и называют “ментальной геометрией”. Легко составить фигурку, когда знаешь, как она составляется, и куда какой кусочек надо положить, к какому приложить. Но попробуйте складывать фигурки без указки, попробуйте догадаться сами, как они составляются! Тут-то и придется вам голову поломать. Для этого нужны не только сообразительность, но подчас и большое терпение….

Наталья Давидовна Флиттнер — специалист с многолетним опытом в сфере истории культуры и искусства народов Древнего Востока. В представленном издании очень ярко, образно и занимательно переданы история открытия Древнего Египта, изображения египетской природы, археологические памятники, описание эпохи Древнего Царства…

В учебнике литература рассматривается в ее историческом контексте. Начиная с древнейших памятников русской литературы до Герцена и Белинского.

Диоксид ванадия VO2, в котором фазовый переход осуществляется при наиболее «технологичной» температуре +67 оС, изменение удельного сопротивления составляет около пяти порядков, показатель преломления изменяется (на  = 6328 Å) от 2,5 до 2,0, а время переключения рекордно малое, считается наиболее перспективным материалом современной оптоэлектроники. Рассмотрены ключевые эксперименты по исследованию динамики сверхбыстрого обратимого фазового перехода «металл–диэлектрик» в диоксиде ванадия, имеющего рекордно малое время переключения (10 фс). Это свойство диоксида ванадия может быть использовано для создания уникальных оптических затворов, которые найдут применение при исследовании быстропротекающих процессов, в разработке систем оптических телекоммуникаций, а также в различных областях оптоэлектроники и фотоники.

Сборник статей для изложений» предназначен для учителей начальных классов. В «Сборнике» даётся систематически подобранный и методически обработанный материал для изложений. Тексты для изложения распределены по классам, однако это распределение является лишь примерным. В зависимости от подготовленности класса учитель может брать тексты из различных разделов, внося в них необходимые изменения. При подборе текстов авторы учитывали доступность содержания их для учащихся 2-4 классов, интересы школьников, а также воспитательную и образовательную ценность данного материала. Исходя из принципа взаимной связи занятий по грамматике, правописанию и развитию речи учащихся, составители «Сборника» стремились подбирать материал с учётом орфографической трудности входящих в него слов и сложности конструкции предложений.

Рассмотрен метод определения толщин тонких матриц на основе ИК-спектров отражения. Исследована статистика распределения толщины матриц ФЧЭ из антимонида индия формата 640 512 элементов с шагом 15 мкм, утоньшенных методом химико-динамической полировки. Показана динамика улучшения технологии утоньшения МФЧЭ.

Выведено аналитическое выражение для коэффициента умножения фотоносителей в лавинных гетерофотодиодах с разделенными областями поглощения и умножения. Коэффициент умножения представлен в традиционной форме Миллера. Проанализирована зависимость этого коэффициента от приложенного напряжения смещения и параметров гетероструктуры.

В работе исследованы зависимости скорости ионно-лучевого травления верхнего контактного слоя (GaAs: Si), активной области, состоящей из пятидесятикратного чередования барьерных слоев (AlxGa1-xAs) и квантовых ям (GaAs: Si), нижнего контактного слоя (GaAs: Si) по глубине QWIP-структур на основе GaAs-AlGaAs, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), с целью определения влияния состава различных слоев на скорость травления и возможности завершения процесса травления на необходимую глубину по времени.