SCI Библиотека

Получение, обработка, передача и хранение информации является неотъемлемой частью
созидательной деятельности современного общества. Прогресс XX века во многом обусловлен
развитием методов и средств передачи и обработки информационных сигналов с использова-
нием электромагнитных волн [1–5]. Появление полупроводниковой микроэлектроники [6, 7],
лазерной техники [8–12] и оптоволоконных линий связи [13, 14] привело к созданию гло-
бальной сети Интернет, повсеместному распространению средств коммуникации, вычисли-
тельных устройств и персональных компьютеров, цифровых средств радио-электронной и
оптико-электронной регистрации и мониторинга, а также компактных систем хранения дан-
ных. Развитие технологий матричных фото-детекторов типа ПЗС и КМОП привело к по-
явлению цифровой фотографии и цифрового видео. В результате количество генерируемой
и накапливаемой цифровой информации имеет тенденции экспоненциального роста, и по
современным оценкам [15] объём глобальной датасферы к 2025 году может достичь 175 ЗБ
(ЗеттаБайт или 1021 Байт). Параллельно с этим, подчиняясь закону Мура, возрастают требо-
вания к вычислительной способности систем обработки больших массивов данных. Уровень
современных вычислительных задач, требует применение устройств [16] с производительно-
стью 1018 вычислительных операций в секунду (OPS). В этой связи создание сверхшироко-
полосных коммуникационных систем с высокой пропускной способностью и стабильностью,
систем надёжного и компактного хранения данных, а также систем обработки с высокой
вычислительной мощностью и низким энергопотреблением является одними из важнейших
задач в современных информационных технологиях

Рассмотрены свойства различных полупроводниковых и диэлектрических материалов и частично металлов, используемых в твердотельной электронике. Показано влияние природы химических связей, химического и фазового состава, атомной структуры и структурных несовершенств на свойства этих материалов. Проанализированы различные способы управления этими свойствами, способы легирования полупроводниковых и диэлектрических фаз, процессы распада пересыщенных твердых растворов и предраспадные явления, процессы геттерирования и другие. Рассмотрены фазовые и структурные превращения и их механизмы при кристаллизации, получении монокристаллов, поликристаллических и аморфных полупроводников и диэлектриков, пленок и многослойных гомо- и гетероэпитаксиальных композиций с заданными свойствами.

Эта книга о нашем институте и его сотрудниках. Институт космических исследований был создан на заре космической эры,
в 1965 году.

Изобретение относится к способу
модифицирования структуры стекла под
действием лазерного пучка для формирования
люминесцирующих микрообластей и может быть
использовано для многократной перезаписи и
хранения информации. В силикатном стекле,
содержащем сульфид кадмия, записывают
микрообласть при локальном облучении
фемтосекундными лазерными импульсами с
длиной волны в ближнем инфракрасном
диапазоне, с энергией лазерных импульсов в
пределах 100-400 нДж, длительностью лазерных
импульсов 180-600 фс, частотой следования
лазерных импульсов в пределах 100-1000 кГц. Для
фокусировки лазерного пучка применяют
объектив с числовой апертурой 0,45-0,85. Далее
возможно стирание записанной микрообласти
путем ее сканирования фемтосекундным
лазерным пучком или перемещения стекла
относительно сфокусированного пучка по
траектории, которая задается скоростью
перемещения в диапазоне 10-30 мкм/с, диаметром
в диапазоне 30-100 мкм и частотой осцилляций
вдоль оси, перпендикулярной направлению
перемещения, в плоскости, перпендикулярной
направлению падения записывающего лазерного
пучка, равной 20 Гц. Для стирания используется
лазерный пучок с длиной волны в ближнем
инфракрасном диапазоне, с энергией лазерных
импульсов в пределах 100-400 нДж,
длительностью лазерных импульсов 180-600 фс,
частотой следования лазерных импульсов в
пределах 50-500 кГц при фокусировке лазерного
пучка объективом с числовой апертурой 0,45-0,85.
В стертой области возможна повторная запись
микрообластей при локальном облучении
фемтосекундными лазерными импульсами с
длиной волны в ближнем инфракрасном
диапазоне и параметрами лазерного пучка,
используемыми при записи исходных
микрообластей. Технический результат -
возможность создания долговечной оптической
памяти с возможностью перезаписи.

Изобретение относится к области оптического
материаловедения, к способу модифицирования
стекла в объеме под действием фемтосекундного
лазерного излучения. Способ лазерного
модифицирования стекла для записи информации
включает локальное облучение стекла состава,
мас.%: 3,85 CdS; 22,16 K2O; 19,27 ZnO; 3,86 B2O3;
50,86 SiO2 пучком фемтосекундного излучения
ближнего ИК диапазона, сфокусированным через
объектив с числовой апертурой 0,45-0.65, с
формированием микрообластей, при этом
записывают микрообласти, обладающие
одновременно люминесценцией, в том числе
частично-поляризованной, и поляризационно-
зависимым двулучепреломлением, а для записи
используют импульсы в количестве 5⋅103÷106 с
линейной поляризацией, длительностью 180-900
фс, энергией 100÷600 нДж и частотой следования
50-200 кГц. Техническим результатом является
формирование в стекле микрообластей,
обладающих одновременно люминесценцией, в
том числе частично-поляризованной, и
п о л я р и з а ц и о н н о - з а в и с и м ы м
двулучепреломлением, для повышения плотности
записи информации. 2 ил

Изобретение относится к области оптики и
может быть использовано для записи и хранения
оптической информации в виде текста,
изображений, штрих-кодов и цифровой битовой
информации. Целью изобретения является
увеличение скорости записи оптической
информации в стекле и упрощение состава стекла.
Сущность изобретения заключается в том, что
силикатное стекло, содержащее ионы и
молекулярные ионы серебра, локально облучают
фемтосекундными инфракрасными лазерными
импульсами с длиной волны 0.8-1.1 мкм. После
этого облученная зона стекла приобретает
люминесцентные свойства при возбуждении
люминесценции излучением с длиной волны 350-
410 нм. 2 ил

В настоящее время ведущие мировые производители
элементов памяти активно разрабатывают технологию памяти с изменяемым фазовым
состоянием, в основе которой лежит фазовый переход халькогенидное стекло – кристалл.
По сравнению с наиболее распространенной сегодня флэш-памятью, память с
изменяемым фазовым состоянием имеет значительно более высокую скорость записи,
выдерживает приблизительно в 10 тысяч раз больше циклов перезаписи и потенциально
может иметь более высокую плотность записи информации

В статье говорится о существующих современных методах
литографии. Описаны общие шаги процесса литографии в
полупроводниковом производстве. Рассмотрены тенденции развития
полупроводниковой промышленности в целом.
Произведен анализ методов литографии на основе информации о
современной полупроводниковой промышленности, и выбран наиболее
инновационный метод литографии: электронная лучевая литография, – как
метод, позволяющий повысить технологически уровень полупроводниковой
промышленности

Получение, обработка, передача и хранение информации является неотъемлемой частью
созидательной деятельности современного общества. Прогресс XX века во многом обусловлен
развитием методов и средств передачи и обработки информационных сигналов с использова-
нием электромагнитных волн [1–5]. Появление полупроводниковой микроэлектроники [6, 7],
лазерной техники [8–12] и оптоволоконных линий связи [13, 14] привело к созданию гло-
бальной сети Интернет, повсеместному распространению средств коммуникации, вычисли-
тельных устройств и персональных компьютеров, цифровых средств радио-электронной и
оптико-электронной регистрации и мониторинга, а также компактных систем хранения дан-
ных. Развитие технологий матричных фото-детекторов типа ПЗС и КМОП привело к по-
явлению цифровой фотографии и цифрового видео. В результате количество генерируемой
и накапливаемой цифровой информации имеет тенденции экспоненциального роста, и по
современным оценкам [15] объём глобальной датасферы к 2025 году может достичь 175 ЗБ
(ЗеттаБайт или 1021 Байт). Параллельно с этим, подчиняясь закону Мура, возрастают требо-
вания к вычислительной способности систем обработки больших массивов данных. Уровень
современных вычислительных задач, требует применение устройств [16] с производительно-
стью 1018 вычислительных операций в секунду (OPS). В этой связи создание сверхшироко-
полосных коммуникационных систем с высокой пропускной способностью и стабильностью,
систем надёжного и компактного хранения данных, а также систем обработки с высокой
вычислительной мощностью и низким энергопотреблением является одними из важнейших
задач в современных информационных технологиях.
Использование света для формирования, передачи и детектирования информационных
сигналов является привлекательным благодаря высокой собственной частоте колебаний элек-
тромагнитных волн оптического диапазона (300 ГГц ÷ 3 ПГц), а также возможности сво-
бодного и независимого распространения световых сигналов по воздуху, в стекле и в других
известных прозрачных мате

В пособии представлены методические материалы по курсу «Оптические
системы записи, хранения и отображения информации». Кратко изложены
основные принципы действия оптических, как голографических, так и по-
битовых, систем хранения памяти, сведения об используемых в них свето-
чувствительных материалах, представлены сведения о принципах действия
устройств отображения информации (дисплеев) различных систем.
Учебное пособие предназначено для студентов СПбГУ ИТМО спе-
циальностей NN 2006006802, 010500. Рекомендовано к печати Ученым Со-
ветом факультета фотоники и оптоинформатики, протокол N5 от 18 февра-
ля 2009 г