SCI Библиотека

Рассмотрен метод синтеза плоских нанокристаллов галогенида серебра на желатиновой матрице методом двухструйной эмульсификации. Полученные кристаллы изучались с помощью атомно-силового микроскопа и оптического микроскопа Velomet. Формирование центров скрытого изображения на кристаллах галогенида серебра связано с наличием дефектов, на которых скапливаются ионы серебра, образуя кластеры. Учтен факт, изменения напряжённости электрического поля кластера с увеличением числа атомов серебра в кластере. Приведены теоретические расчеты длины пробега фотоэлектронов до их захвата центрами скрытого изображения. Сделан вывод о том, что эмульсионные нанокристаллы, размеры которых достигают 25–50 нм, являются наиболее оптимальными с точки зрения светочувствительности и разрешающей способности.

Исследовано влияние твердофазного спекания порошкового материала системы Cu-SiC на его структуру и свойства. Получены данные о коэффициенте теплового расширения, микроструктуре, плотности, пористости и фазовом составе композиционном материале Cu-SiC с различным содержанием карбида кремния.

Предложен и реализован в эксперименте метод измерения профилей концентрации активных ионов в поликристаллическом Cr2+: ZnSe, с использованием пироэлектрической камеры и непрерывного волоконного тулиевого лазера в качестве источника монохроматического излучения на 1,9 мкм. В результате сравнения с методом сканирования остросфокусированным пучком Tm3+: YLF лазера было показано, что оба метода дают близкие результаты при измерении концентрационного профиля в поверочном образце Cr2+: ZnSe, однако предложенный метод обладает большей универсальностью и значительно сокращает время на проведение исследований.

Рассмотрена возможность использования сенсора с трансдьюсером, содержащим квантовые точки на основе полупроводникового коллоидного материала на основе CdSe/CdS/ZnS (квантовые точки) для анализа I2 в газовых и жидких средах, в том числе в продуктах переработки облученного ядерного топлива. Установлен эффект сильного тушения люминесценции квантовых точек молекулярным йодом. Обсуждены возможные причины этого явления. Проведен синтез квантовых точек с полупроводниковой оболочкой с максимумом длины волны люминесценции при 633 нм. Проведена модификация их поверхности органосиланами, что позволило получить высокую фотостабильность, совместимость с водными и водно-спиртовыми средами, а также получить значение квантового выхода люминесценции не ниже, чем для квантовых точек до модификации (85%). Для получения чувствительного элемента квантовые точки были введены в пористую матрицу из фторсодержащего сополимера F-42. Приведена кинетика тушения и разгорания люминесценции в процессе сорбции и десорбции паров йода. Оценена чувствительность метода, которая составила 10-5 мг/л.

Идентифицируется личный состав 857-го артиллерийского полка первого формирования 316-й стрелковой дивизии. Несмотря на многочисленные макростатистические исследования и активные базы данных, посвященные Великой Отечественной войне, все еще много защитников Родины 1941-1945 гг. остаются неназванными и неизвестными. Чтобы заполнить эти пробелы в знаниях, авторы сосредоточиваются на исследовании 316-й стрелковой дивизии, сформированной в Алма-Ате, с призванными из Средне-Азиатского военного округа. Методологический подход включал перекрестный текстовый и дискурсивный анализ полковых и дивизионных документов из Центрального архива Министерства обороны Российской Федерации и сопоставление полученных материалов с выводами из научной литературы о боевых действиях в ходе обороны Москвы в 1941 г. Результатом исследования стала комплексная реконструкция организации, оснащения, должностных обязанностей личного состава 857-го артиллерийского полка. Разделение данных на установленные штатным расписанием Красной армии и фактические цифры на местах позволило проследить изменения в динамике в ходе боевых действий. Результатом исследования стало уточнение личного состава и боевого пути 857-го артиллерийского полка, что имеет важное значение для дальнейшего изучения действий более крупных воинских соединений.

Работа посвящена использованию индия для формирования низкоомных микроконтактов к контактным слоям арсенида галлия гетероэпитаксиальных QWIP-структур для изготовления матричного фотоприёмника излучения ИК-диапазона. В технологии изготовления фоточувствительных элементов металлические контакты к контактным слоям GaAs нижнего и верхнего уровней с необходимыми свойствами получают вакуумным напылением никеля и золота с последующим быстрым отжигом при температуре 450 оС в атмосфере водорода. Эта технология включает проведение ряда трудоемких последовательных операций: изготовление фотошаблонов, фотолитография, травление меза-элементов, напыление металлов на два уровня, осуществление которых на тестовых образцах небольших размеров (краевые сегменты пластин) крайне затруднено. В настоящей работе проведено исследование возможности альтернативных способов создания низкоомных контактов к контактным слоям QWIP GaAs/AlGaAs-структур.

В данной статье представлен анализ зонных диаграмм барьерных фоточувствительных структур на основе CdxHg1-xTe (КРТ) для средней и дальней области излучения инфракрасного диапазона, работающих при температурах, близких к комнатным. Целью работы было формирование методики расчёта профилей энергетических зон в подобных структурах, учитывающей особенности реальных структур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведены расчёты зонных диаграмм реальной фоточувствительной структуры на основе КРТ, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии в ИФП СО РАН (Новосибирск).

Рассматриваются исторические основания оценки политики Германии и ее союзников на оккупированной территории СССР в качестве геноцида советского народа. Ключевым методом исследования являлось соотнесение эмпирического материала массовых злодеяний и планов нацистов с определениями «Конвенции о предупреждении преступления геноцида и наказании за него», принятой резолюцией Генеральной Ассамблеи ООН 1948 г. Новизна постановки проблемы состоит в утверждении тезиса о геноциде против советского народа как целостной цивилизационной общности. Приводятся аргументы целесообразности и достоверности утверждения о факте геноцида не только в этническом, но и цивилизационном ракурсах. Сформулированные в статье подходы могут внести потенциальный вклад в принятие положения о геноциде советского народа и ответственности за него на законодательном уровне Российской Федерации.

Исследованы возможности повышения уровня чувствительности p–i–n-фотодиодов к излучению с длиной волны λ = 1,06 мкм. Проведён расчёт двухслойного просветляющего покрытия, состоящего из плёнок SiO2 и Si3N4. Представлены результаты эксперимента, проведённого на основании данного расчёта.

Изложены основные сведения о форме Земли и способах изображения ее поверхности, о производстве геодезических и маркшейдерских работ при открытой разработке месторождений и строительстве горных предприятий. Описаны различные виды съемок, требования к точности и периодичности их проведения, применяемые при этом приборы и инструменты. Рассмотрены обязательная горная графическая документация и ее использование для решения практических задач, классификация и способы подсчета запасов, маркшейдерский контроль оперативного учета добычи, задачи маркшейдерской службы при планировании горных работ.

Четвертое издание (3-е изд.— 1978) переработано с учетом новейших достижений в области геодезии и маркшейдерского дела.

Для учащихся горных и горно-металлургических техникумов.